گفته می شود که تا سال ۲۰۱۵ فرایند انتقالی به اجزای جدید حافظه برپایه ی دستگاه های اسپینترونیکی ( تحت عنوان MRAM) انجام می شود که این امر سبب تغییر شدید سیستم های  رایانه ای خواهد شد. برای نمونه، سرعت دسترسی به چنین حافظه هایی هزار برابر بیشتر از اجزای کنونی حافظه های Flash و ابزارهای بازنویسی (Rewriting) صد هزار بار بیشتر خواهند شد. در نتیجه می توان از به کارگیری دیسک های فشرده برای نگهداری اطلاعات  صرف نظر کرد و بلوک های ساکن را جایگزین آن ها کرد. از آن جایی که در دستگاه های اسپینترونیکی برای ارسال اطلاعات، علاوه بر میدان الکتریکی از خاصیت مغناطیسی الکترون ها استفاده خواهد شد، جهت ساخت چنین دستگاه هایی نیازبه توسعه ی نیمه رساناهای فرومغناطیسی است که خواص آن ها را بتوان هم با میدان الکتریکی و هم به وسیله ی میدان مغناطیسی کنترل کرد. مواد معروف برای اسپینترونیک در دماهای پایین (۱۷۲ کلوین) وارد حالت فرومغناطیسی می شوند.

 در موسسه ی کورچاتف دو ماده ی جدید به صورت ساختارهای غیر همجنس لایه بندی شده  GaAS و InGaAs و براساس سیلیسیم و نیمه رسانا های A3B5 با چاه های کوانتمی از عنصر فرومغناطیسی Mn  ( منگنز) تولید شدند.   اولین ساختار دارای دمای نسبی بالایی برای ورود به حالت فرمغناطیسی  بود (۱۰۰ کلوین).  دومین ساختار در دمای اتاق فرومغناطیسی شد.  پروژه ی ساخت نمونه ی اولیه ی ترانزیستور های اسپینی برپایه ی نتایج به دست آمده در حال توسعه می باشد.

 این کار با پشتیبانی آژانس فدرال علوم و نوآوری ها ( در قالب طرح کلی تحقیقات و توسعه در گرایش های اولویت دار جهت پیشبرد مجموعه های علمی فنی روسیه برای سال های ۲۰۱۲-۲۰۰۷ ) انجام شده است.

منبع: http://nanorf.ru/events.aspx?cat_id=223&d_no=2004